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硅外延片; 碳化硅; N型; 设备成本; 材料市场; 最新技术; 大直径; 工艺线;
机译:磁控溅射Ti_3SiC_2在n型和p型4H碳化硅上的欧姆接触特性
机译:碳化硅2H和4H多型转变机理的微观描述
机译:用于单晶C面4H型碳化硅晶片蚀刻器的三氟化氯气分配器设计
机译:n型4H碳化硅中热氧化对MeV离子注入损伤的增强退火
机译:使用光致发光光谱法研究N型4H碳化硅和半绝缘6H碳化硅中的缺陷。
机译:三种3-甲基-1H-124-三唑-5-硫酮的晶体结构包括4-((E)-(5-溴-2-羟基亚苄基)氨基 -3-甲基的第二个多晶型物-1H-124-三唑-5(4H)-硫酮和4-氨基-3-甲基-1H-1124-三唑-5(4H)-硫酮的重新测定
机译:通过一种生长过程中的Lyubes改性方法获得的碳化硅4h,15r,6h的碳化硅4h,15r,6h的编重比较椭圆分析
机译:溶剂激光加热浮区生长4H碳化硅薄膜的表征。
机译:碳化硅单晶基体和碳化硅外延片的评估方法,碳化硅单晶和碳化硅外延片的制造方法以及碳化硅单晶
机译:碳化硅基体的评估方法,碳化硅外延片的制造方法以及碳化硅外延片
机译:碳化硅外延片,碳化硅绝缘的栅型双极晶体管及其制造方法
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