机译:使用非合金电极金属作为反射器的高速InP-InGaAs异质结光电晶体管
机译:具有成分分级的基极和InAs发射极接触层的高速InGaAsSb / InP双异质结双极晶体管
机译:使用应变Inas / ingaas多量子阱吸收层实现的Inp / ingaas异质结光电晶体管在2μm以上的波长下工作
机译:具有发射极金属反射器的高速Inp / Ingaas异质结光电晶体管
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:模拟光束入射方向不同的InP / InGaAs异质结光电晶体管的光响应特性
机译:通过金属有机分子豆外延生长在Ge / p共注入Inp衬底上的Inp / InGaas异质结双极晶体管。