机译:衬底偏置对短沟道PMOS器件中漏极引起的势垒降低的影响
机译:在0.35-0.13 / spl mu / m技术的窄通道CMOS器件中,通道长度对通道宽度的依赖性
机译:65 nm NMOSFET中辐射引起的窄宽度沟道效应的偏置依赖性
机译:在低温温度下对短沟道长度和窄通道宽度PMOS器件的基板偏置效应
机译:信道长偏压,宽度不对称,梯度陡度和联系方式对成纤维细胞的方向决策的协同效应
机译:乘员和粒子间相互作用对通过窄通道选择性转运的影响:理论与实验
机译:温度和沟道掺杂对NMOSFET BSIM3阈值电压模型的影响,取决于衬底偏置方法
机译:在极端温度下操作sOI p沟道场效应晶体管CHT-pmOs30