机译:极高的功率附加效率和低噪声0.15μm栅极长度的伪晶HEMT
机译:栅极长度可变的0.15μm栅长AlGaN / GaN HEMT
机译:栅长小于0.1μm的平面掺杂假晶HEMT的直流和微波特性
机译:0.15 mu m长度双凹陷假形旋转悬浮型,具有f / sub max / 350 ghz
机译:使用0.15μmgaas hemt技术的wimax下变频器吉尔伯特单元混频器。
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:基于GaN技术的0.15-μm栅极长度HEMT的温度灵敏度的实验性和系统洞察