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International Electron Devices Meeting
International Electron Devices Meeting
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1.
Simulation and modeling for soft recovery of p-i-n rectifiers
机译:
P-I-N整流器软恢复的仿真和建模
作者:
Mayaram K.
;
Tien B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
2.
New insight into hot-electron-induced degradation of n-MOSFETs
机译:
新的洞察热电致电的N-MOSFET降解
作者:
Chan T.Y.
;
Chiang C.L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
3.
A novel NVRAM cell technology for high density applications
机译:
一种用于高密度应用的新型NVRAM细胞技术
作者:
Yasmauchi Y.
;
Tanaka K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
4.
Si/SiGe heterojunction bipolar transistor with graded gap SiGe base made by molecular beam epitaxy
机译:
Si / SiGe异质结双极晶体管,分子束外延采用渐变间隙SiGe基础
作者:
Narozny P.
;
Hamacher M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
5.
Short channel effects in submicron self-aligned gate heterostructure field effect transistors
机译:
亚微亚自对准栅极异质结构场效应晶体管的短频道效应
作者:
Han C.J.
;
Ruden P.P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
6.
Fabrication of p-channel BICFET in the Ge/sub x/Si/sub 1-x//Si system
机译:
在GE / SUB X / SI / SUB 1-X // SI系统中的P沟道BICFET制造
作者:
Taft R.C.
;
Plummer J.D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
7.
Integral relations for bipolar transistor modelling-rigorous results
机译:
双极晶体管建模 - 严格结果的整体关系
作者:
Reisch M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
8.
Two types of 500 V double gate lateral N-ch bipolar-mode MOSFETs in dielectrically isolated p/sup -/ and n/sup -/ silicon islands
机译:
两种类型的500 V双栅极横向N-CH双极模式MOSFET,介电隔离的P / SUP - /和N / SUP / SILICON岛
作者:
Nakagawa A.
;
Yamaguchi Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
9.
Massive parallel computing: a solution of today's and tomorrow's device and process simulation problems?
机译:
大规模并行计算:今天和明天的设备的解决方案和流程模拟问题?
作者:
Sangiovanni-Vincentelli A.
;
Guerrieri R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
10.
A 1024-element high-performance silicon tactile imager
机译:
一个1024元素高性能硅触觉成像仪
作者:
Suzuki K.
;
Najafi K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
11.
n-well design for trench DRAM arrays
机译:
用于沟槽DRAM阵列的N阱设计
作者:
Cottrell P.
;
Warley S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
12.
Double LDD concave (DLC) structure for sub-half micron MOSFET
机译:
子半微米MOSFET的双LDD凹版(DLC)结构
作者:
Sunouchi K.
;
Takato H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
13.
Modeling of radiation induced burnout in DMOS transistors
机译:
DMOS晶体管中辐射诱导烧坏的建模
作者:
Darwish M.N.
;
Dolly M.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
14.
A sub-50 ps single poly planar bipolar technology
机译:
SUB-50 PS单多晶平面双极技术
作者:
Chen T.C.
;
Tang D.D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
15.
DC and millimeter-wave performance of watt-level barrier-intrinsic-n/sup +/ diode-grid frequency multiplier fabricated on III-V compound semiconductors
机译:
直流和毫米波性能对III-V复合半导体制造的瓦特级别屏障内联 - N / SUP + /二极管频率倍增器的+ /二极管频率倍增器
作者:
Hwu R.J.
;
Sadwick L.P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
16.
A variable-stress shallow trench isolation (STL) technology with diffused sidewall doping for submicron CMOS
机译:
具有扩散侧壁掺杂的可变应力浅沟槽隔离(STL)技术,用于亚微米CMOS
作者:
Davari B.
;
Koburger C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
17.
A 10 GHz tuned amplifier based on the SRI thin-film field-emission cathode
机译:
基于SRI薄膜场 - 发射阴极的10 GHz调谐放大器
作者:
Lally P.M.
;
Nettesheim E.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
18.
Long wavelength semiconductor lasers
机译:
长波长半导体激光器
作者:
Dutta N.K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
19.
A multilevel tungsten interconnect technology
机译:
多级钨互连技术
作者:
Thomas D.C.
;
Wong S.S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
20.
A new, pre-discharge boron doping method for amorphous silicon photoconversion layer in HDTV image sensor
机译:
HDTV图像传感器中的非晶硅光电解层的一种新的预排出硼掺杂方法
作者:
Miyagawa R.
;
Iida Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
21.
A high performance 0.25 mu m CMOS technology
机译:
高性能0.25 mu M CMOS技术
作者:
Davari B.
;
Chang W.H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
22.
Advanced diffusion models for submicron technologies
机译:
亚微米技术的高级扩散模型
作者:
Orlowski M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
23.
Projecting the minimum acceptable oxide thickness for time-dependent dielectric breakdown
机译:
突出时间依赖介电击穿的最小可接受的氧化物厚度
作者:
Moazzami R.
;
Lee J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
24.
Dielectric based antifuse for logic and memory ICs
机译:
逻辑和存储器IC的基于介质的反熔丝
作者:
Hamdy E.
;
McCollum J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
25.
Sectored-beam multi-signal TWT analysis
机译:
扇形束多信号TWT分析
作者:
Dionne N.J.
;
Harper R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
26.
Hot-electron currents in deep-submicrometer MOSFETs
机译:
深层亚微米计MOSFET中的热电子电流
作者:
Chung J.
;
Jeng M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
27.
A very small active-matrix LCD panel with monolithically integrated peripheral driver circuits
机译:
具有单片集成外围驱动电路的非常小的主动矩阵LCD面板
作者:
Emoto F.
;
Senda K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
28.
Helical waveguide millimeter wave TWT
机译:
螺旋波导毫米波TWT
作者:
Liss C.
;
Harper R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
29.
An 8-bit 1-GHz digital to analog converter using 0.5 mu m gate inverted HEMTs
机译:
使用0.5μm门倒置的8位1-GHz数字到模拟转换器
作者:
Seki S.
;
Saito T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
30.
Development of a brazed-helix TWT for future Ka-band earth stations delivering 200 W in the band 27.5-30 GHz
机译:
在乐队中开发钎焊螺旋TWT,为未来的KA频段地站提供200 W 27.5-30 GHz
作者:
Wartski S.
;
Henry D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
31.
Temperature dependence of minority electron mobility and bandgap narrowing in p/sup +/ Si
机译:
少数素电子迁移率和带隙变窄的温度依赖性在P / SUP + / Si中缩小
作者:
Swirhun S.E.
;
Kane D.E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
32.
MOS device modeling at liquid-nitrogen temperature
机译:
液氮温度下的MOS器件建模
作者:
Selberherr S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
33.
Ion implantation model considering crystal structure effects
机译:
考虑晶体结构效应的离子植入模型
作者:
Hane M.
;
Fukuma M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
34.
Performance degradation due to extrinsic base encroachment in advanced narrow-emitter bipolar circuits
机译:
由于先进的窄发射极双极电路中的外在基础侵蚀性能劣化
作者:
Chuang C.T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
35.
Latch-up in a BiCMOS technology
机译:
在BICMOS技术中锁定
作者:
Deferm L.
;
Decoutere S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
36.
Drain avalanche hot hole injection mode on PMOSFETs
机译:
在PMOSFET上排出雪崩热空穴注入模式
作者:
Matsuoka F.
;
Hayashida H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
37.
A selective CVD tungsten local interconnect technology
机译:
一种选择性CVD Tungsten本地互连技术
作者:
Lee V.V.
;
Verdonckt-Vandebroek S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
38.
A model for titanium silicide film growth
机译:
硅化钛膜生长模型
作者:
Borucki L.
;
Mann R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
39.
Doping of n/sup +/ and p/sup +/ polysilicon in a dual-gate CMOS process
机译:
在双门CMOS过程中掺杂N / SUP + /和P / SUP + / POMYSILICON
作者:
Wong C.Y.
;
Sun J.Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
40.
Constraints in p-channel device engineering for submicron CMOS technologies
机译:
用于亚微米CMOS技术的P沟道设备工程限制
作者:
Chen M.
;
Cochran W.T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
41.
Monolithic character recognition system implemented as proto-type intelligent sensor by 3-D integration technology
机译:
单片人物识别系统通过3-D集成技术实现为ProTo型智能传感器
作者:
Kioi K.
;
Toyoyama S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
42.
A new half-micron p-channel MOSFET with LATIPS (large-tilt-angle implanted punchthrough stopper)
机译:
具有LATIPS的新半微米P沟道MOSFET(大倾斜角度植入打孔器)
作者:
Hori T.
;
Kurimoto K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
43.
Improvement in sensitivity of novel magnetic sensor using Y-Ba-Cu-O ceramic superconductor film
机译:
用Y-Ba-Cu-O陶瓷超导体膜改善新型磁传感器的敏感性
作者:
Nojima H.
;
Kataoka S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
44.
Reducing the gain and phase variation in high power MMW TWTs
机译:
降低高功率MMW TWT的增益和相位变化
作者:
Limburg H.C.
;
Davis J.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
45.
Prototype InAsSb strained-layer superlattice photovoltaic and photoconductive infrared detectors
机译:
原型INASSB应变层超晶格光伏和光电导红外探测器
作者:
Kurtz S.R.
;
Dawson L.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
46.
Selective growth of aluminum using a novel CVD system
机译:
使用新型CVD系统选择性生长铝
作者:
Amazawa T.
;
Nakamura H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
47.
The effect of implantation damage on arsenic/phosphorus codiffusion
机译:
植入损伤对砷/磷码区的影响
作者:
Law M.E.
;
Pfiester J.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
48.
Stacked capacitor cells for high-density dynamic RAMs
机译:
用于高密度动态RAM的堆叠电容器单元
作者:
Watanabe H.
;
Kurosawa K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
49.
Deep submicron device with buried insulator between source/drain polysilicon (BIPS)
机译:
源/漏多晶硅(BIPS)之间的埋藏绝缘体的深亚微米器件
作者:
Shimizu M.
;
Inuishi M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
50.
100 GHz GaAs MMIC sampling head
机译:
100 GHz Gaas MMIC采样头
作者:
Marsland R.A.
;
Valdivia V.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
51.
A buried-trench DRAM cell using a self-aligned epitaxy over trench technology
机译:
使用在沟槽技术上使用自对齐的外延的埋地 - 沟槽电池
作者:
Lu N.C.C.
;
Rajeevakumar T.V.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
52.
(AlGa)As/(InGa)As strained-quantum-well FETs on silicon dioxide by selective device lift-off as an alternative to heteroepitaxy
机译:
(藻类)作为/(Inga)作为二氧化硅上的应变量子孔FET通过选择性装置剥离作为杂肝的替代品
作者:
Myers D.R.
;
Klem J.F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
53.
3.7 W CW operation of
机译:
3.7 W CW操作
作者:
Kondo M.
;
Suyama T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
54.
Ring-resonant cavity for the harmonic auto-resonant peniotron (HARP)
机译:
谐波自动共振Peniotron(HARP)的环形谐振腔
作者:
Baird J.M.
;
Freudenberger R.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
55.
A 0.5 mu m isolation technology using advanced polysilicon pad LOCOS (APPL)
机译:
使用高级多晶硅垫LocOS(Appl)的0.5μm隔离技术
作者:
Nishihara T.
;
Tokunaga K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
56.
Modeling and operating characteristics of InGaAs-based resonant-tunneling hot electron transistors (RHETs)
机译:
基于InGaAs的谐振隧穿热电子晶体管(Rhets)的建模与操作特性
作者:
Ohnishi H.
;
Yokoyama N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
57.
A 25 mu m/sup 2/, new poly-Si PMOS load (PPL) SRAM cell having excellent soft error immunity
机译:
25 mu m / sup 2 /,新的Poly-Si PMOS负载(PPL)SRAM细胞具有优异的软误差免疫
作者:
Yamanaka T.
;
Hashimoto T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
58.
An ECL gate array with Si HBTs
机译:
带Si HBT的ECL门阵列
作者:
Fujioka H.
;
Deguchi T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
59.
A thin-film gas detector for semiconductor process gases
机译:
用于半导体工艺气体的薄膜气体检测器
作者:
Johnson C.L.
;
Wise K.D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
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1988年
60.
Waveguide integrated MSM photodetector for the 1.3 mu m-1.6 mu m wavelength range
机译:
波导集成MSM光电探测器,用于1.3μm-1.6 mu m波长范围
作者:
Soole J.B.D.
;
Schumacher H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
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1988年
61.
Design, fabrication, and characterization of ultra high speed AlGaAs/InGaAs MODFETs
机译:
超高速Algaas / Ingaas Modfets的设计,制造和表征
作者:
Nguyen L.D.
;
Tasker P.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
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1988年
62.
0.5 micron CMOS for high performance at 3.3 V
机译:
0.5微米CMOS在3.3 V时高性能
作者:
Chapman R.A.
;
Wei C.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
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1988年
63.
An asymmetrical lightly-doped source (ALDS) cell for virtual ground high density EPROMs
机译:
虚拟地面高密度EPROM的不对称轻掺杂源(ALDS)单元
作者:
Yoshikawa K.
;
Mori S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
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1988年
64.
In-situ carbon-doped aluminum metallization for VLSI/ULSI interconnections
机译:
用于VLSI / ULSI互连的原位碳掺杂铝金属化
作者:
Kato T.
;
Ito T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
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1988年
65.
Stress induced leakage current limiting to scale down EEPROM tunnel oxide thickness
机译:
压力诱导漏电流限制为缩小EEPROM隧道氧化物厚度
作者:
Naruke K.
;
Taguchi S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
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1988年
66.
Analysis of current-voltage characteristics in polysilicon TFTs for LCDs
机译:
LCD多晶硅TFT中电流电压特性分析
作者:
Ono K.
;
Yoshimura M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
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1988年
67.
An insulated gate bipolar transistor with a self-aligned DMOS structure
机译:
具有自对准DMOS结构的绝缘栅双极晶体管
作者:
Mori M.
;
Nakano Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
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1988年
68.
A modular 1 mu m CMOS single polysilicon EPROM PLD technology
机译:
模块化1μMCMOS单多晶硅EPROM PLD技术
作者:
Cacharelis P.J.
;
Hart M.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
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1988年
69.
New device technologies for 5 V-only 4 Mb EEPROM with NAND structure cell
机译:
新的设备技术5 V-o-4 MB EEPROM,NAND结构单元格
作者:
Momodomi M.
;
Kirisawa R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
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1988年
70.
High speed optical taps on InP waveguides
机译:
INP波导的高速光学水龙头
作者:
Chan W.K.
;
Abeles J.H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
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1988年
71.
High transition temperature superconducting thin films: in-situ growth, processing and properties
机译:
高转化温超导薄膜:原位生长,加工和性能
作者:
Lathrop D.K.
;
Russek S.E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
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1988年
72.
AlGaAs/GaAs staircase avalanche photodiodes with high and extremely uniform avalanche gain
机译:
Algaas / GaAs楼梯雪崩光电二极管,雪崩非常统一
作者:
Capasso F.
;
Ripamonti G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
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1988年
73.
Simulation and measurement of picosecond step responses in VLSI interconnections
机译:
VLSI互连中PICOSECOND阶段响应的仿真和测量
作者:
Schreyer T.A.
;
Nishi Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
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1988年
74.
Recent progress in the development of high frequency gyrotron oscillators
机译:
高频陀螺振荡器发展的最新进展
作者:
Kreischer K.E.
;
Spira S.E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
75.
A GaAs MESFET voltage reference
机译:
GaAs MESFET电压参考
作者:
Allstot D.J.
;
Canfield P.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
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1988年
76.
Development of 120 GHz gyrotrons
机译:
发展120 GHz陀螺仪
作者:
Okazaki Y.
;
Hayashi K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
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1988年
77.
Three dimensional topography simulation model using diffusion equation
机译:
三维形貌仿真模型使用扩散方程
作者:
Fujinaga M.
;
Kotani N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
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1988年
78.
A 5-volt contactless array 256 kbit flash EEPROM technology
机译:
A 5伏接触阵列256 KBit Flash EEPROM技术
作者:
Gill M.
;
Cleavelin R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
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1988年
79.
Millimeter-wave AlGaAs/InGaAs/GaAs quantum well power MISFET
机译:
毫米波Algaas / Ingaas / GaAs量子井电源MISFET
作者:
Kim B.
;
Matyi R.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
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1988年
80.
A new stacked capacitor DRAM cell characterized by a storage capacitor on a bit-line structure
机译:
一个新的堆叠电容DRAM单元,其特征在于位线结构上的存储电容
作者:
Kimura S.
;
Kawamoto Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
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1988年
81.
Importance of top insulator quality for the stability of a-Si thin film transistors
机译:
顶部绝缘子质量的重要性A-Si薄膜晶体管的稳定性
作者:
Nakamura T.
;
Yamada T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
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1988年
82.
Density modulated microwave power devices
机译:
密度调制微波功率器件
作者:
Vanderplaats N.R.
;
Zaidman E.G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
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1988年
83.
A Josephson driver to interface Josephson junctions to semiconductor transistors
机译:
Josephson驱动程序将Josephson结接口到半导体晶体管
作者:
Suzuki H.
;
Inoue A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
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1988年
84.
Very low temperature MBE process for SiGe and Si device structures
机译:
SiGe和Si器件结构的非常低的温度MBE工艺
作者:
Kasper E.
;
Dambkes H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
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1988年
85.
IC-processed electrostatic micro-motors
机译:
IC处理的静电微电机
作者:
Long-Sheng Fan
;
Yu-Chong Tai
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
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1988年
86.
Monolithic device fabrication using high-T/sub c/ superconductor
机译:
使用高T / Sub C /超导体的单片装置制造
作者:
Yoshida A.
;
Tamura H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
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1988年
87.
Monolithic process for co-integration of GaAs and silicon circuits
机译:
GaAs和硅电路共同整合的单片工艺
作者:
Shichijo H.
;
Matyi R.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
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1988年
88.
Substrate bias dependent leakage in LDD MOSFETs
机译:
LDD MOSFET中的基板偏置依赖性泄漏
作者:
Sweeney J.
;
Herr N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
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1988年
89.
Trends in biosensor research and development
机译:
生物传感器研究与开发的趋势
作者:
Johnston A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
90.
A self-contained CMOS integrated pH sensor
机译:
一种独立的CMOS集成pH传感器
作者:
Hon-Sum Wong
;
White M.H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
91.
A dielectrically-supported multi-element mass flow sensor
机译:
介电支持的多元素质量流量传感器
作者:
Yoon E.
;
Wise K.D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
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1988年
92.
Advanced self-alignment process technique with very thick sidewall for high speed GaAs LSIs
机译:
高速GaAs LSIS具有非常厚的侧壁的先进自对准过程技术
作者:
Tsunotani M.
;
Yamamoto N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
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1988年
93.
A new high sensitivity photo-transistor for area image sensors
机译:
用于区域图像传感器的新型高灵敏度光晶体管
作者:
Yamashita H.
;
Matsunaga Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
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1988年
94.
5.9 ps/gate operation with 0.1 mu m gate-length GaAs MESFET's
机译:
5.9 PS /栅极操作0.1 mu m门长度Gaas Mesfet的
作者:
Yamane Y.
;
Enoki T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
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1988年
95.
Electron beam damage of advanced silicon bipolar transistors and circuits
机译:
高级硅双极晶体管和电路的电子束损坏
作者:
Jenkins K.A.
;
Cressler J.D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
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1988年
96.
Flicker noise characteristics of advanced MOS technologies
机译:
先进MOS技术的闪烁噪声特性
作者:
Hung K.K.
;
Ko P.K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
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1988年
97.
Backward-wave oscillators for the frequency range from 600 GHz to 1800 GHz
机译:
向后波振荡器的频率范围从600 GHz到1800 GHz
作者:
Barnett L.R.
;
Grow R.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
98.
Transverse mode control in wide-single-stripe lasers by loading modal filters
机译:
通过装载模态过滤器宽单条带激光器横向模式控制
作者:
Kaneno N.
;
Shigihara K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
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1988年
99.
8.6 ps/gate chilled Si E/E NMOS integrated circuit
机译:
8.6 PS /栅极冷冻SI E / E NMOS集成电路
作者:
Kobayashi T.
;
Miyake M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
|
1988年
100.
A tester for the contact resistivity of self-aligned silicides
机译:
用于自对准硅化物的接触电阻率的测试仪
作者:
Lynch W.T.
;
Ng K.K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Electron Devices Meeting》
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1988年
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