机译:基于GaN技术的0.15-μm栅极长度HEMT的温度灵敏度的实验性和系统洞察
机译:极高的功率附加效率和低噪声0.15μm栅极长度的伪晶HEMT
机译:温度对微波应用栅极长度0.15-μmGaN / SiC HEMT的直流和等效电路参数的温度影响
机译:具有0.3μm栅长的AlGaN / GaN HEMT的低损伤,基于Cl {sub} 2基的栅凹槽蚀刻
机译:基于100nm栅长AlGaN / GaN-HEMT技术的毫米波单刀双掷开关
机译:使用基于AlGaN / GaN的HEMT器件的人MIG分析和实验生物传感器。
机译:极化库仑场散射对70nm栅长AlGaN / GaN HEMT的电性能的影响
机译:GaN-HEMTs器件的技术和特性:高温和俘获效应