Institute of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan, R.O.C.;
GaN LEDs; laser lift-off (LLO); wafer bonding; large-area light-emitting LEDs;
机译:不同n电极图案对激光剥离制造大面积p侧向下InGaN发光二极管光学特性的影响
机译:基于温度和注入电流的InGaN基绿色大面积发光二极管的光学和热特性
机译:在(1010)和(1011)平面之间取向的GaN衬底上制造的InGaN / GaN发光二极管的光偏振特性
机译:不同n电极图形对激光剥离制造大面积p侧朝下InGaN发光二极管光学特性的影响
机译:增强氮化物发光二极管和激光二极管的内部量子效率和光学增益。
机译:聚苯乙烯纳米光学光刻法制备的光子晶体结构P-GAN纳米棒的研究提高了INGAN / GAN绿色发光二极管光提取效率
机译:采用改进的顶尖锥形,在图案化的蓝宝石基板上制造的IngaN发光二极管的性能