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【24h】

Growth, Structural and Optical Properties of GaAs, InGaAs and AlGaAs Nanowires and Nanowire Heterostructures

机译:GaAs,InGaAs和AlGaAs纳米线和纳米线异质结构的生长,结构和光学性质

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摘要

This paper reports the growth of GaAs, InGaAs and AlGaAs nanowires and nanowire heterostructures by MOCVD for applications in optoelectronics. Field emission scanning electron microscopy, low temperature photoluminescence, room temperature microphotolumin
机译:本文报道了通过MOCVD在光电子学中应用的GaAs,InGaAs和AlGaAs纳米线和纳米线异质结构的增长。场发射扫描电子显微镜,低温光致发光,室温微光致发光

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