Metal-Germanide Schottky Source/Drain Transistor with High-k/Metal Gate Stack on Ge and Si0.05Ge0.95/Si Substrate

机译：Ge和Si0.05Ge0.95 / Si衬底上具有高k /金属栅叠层的金属-锗化物肖特基源极/漏极晶体管

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Systematic studies on Schottky S/D metal-germanide for both Ge PMOSFET (Ni & Pt) and NMOSFET (Er) application are reported. Thermal emission model-based barrier height measurement shows that hole barrier heights for PtGe

机译：报道了针对Ge PMOSFET（Ni＆Pt）和NMOSFET（Er）应用的肖特基S / D金属锗化物的系统研究。基于热发射模型的势垒高度测量表明，PtGe的空穴势垒高度

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来源
《Junction Technology, 2007 International Workshop on》|2007年|P.77-80|共4页
会议地点 KyotoJapan
作者
Fei Gao; Rui Li; Chi; D.Z.; Balakumar; S.; Lee; S.J.;
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作者单位

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会议组织
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正文语种
中图分类
关键词
Ge-Si alloys; MOSFET; Schottky gate field effect transistors; elemental semiconductors; erbium compounds; hole mobility; nickel compounds; platinum compounds; semiconductor device models; silicon; silicon compounds; Er; Ge; Ge; Ge PMOSFET; HfO;

机译：锗硅合金; MOSFET;肖特基栅极场效应晶体管；元素半导体compounds化合物;空穴迁移率镍化合物；铂化合物；半导体器件模型；硅;硅化合物; ;;葛;葛; Ge PMOSFET; f;

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