Ion implantation; Semi-conductor doping. Electron microscopy; Extended defects;
机译:低能离子注入SiC的缺陷结构的TEM观察
机译:在4H-SiC台面上生长的3C-SiC p〜(+)n结二极管中扩展缺陷的横截面TEM和KOH-蚀刻研究
机译:在4H-SiC台面上生长的3C-SiC p + sup> n结二极管中扩展缺陷的横截面TEM和KOH-蚀刻研究
机译:SIC中离子植入缺陷的TEM研究
机译:过渡金属自由磁性SiC的新方法:自离子注入后缺陷感应磁。
机译:经导管主动脉瓣植入后动脉导引管eSheath内腔完整性的小缺陷
机译:钨溅射期间引入的缺陷缺陷的电学特性
机译:不同种植温度下siC离子束混合镍硅化物的TEm研究