Dept. of Materials Science and Engineering, University of Seoul, Seoul 130-743, Korea;
cu interconnect; electroless deposition; thin film; thermal property;
机译:不同氮流量沉积的TaN_x薄膜对Cu / TaN_x / n + -p结二极管中Cu扩散的阻挡能力
机译:通过优化Ta / TaN扩散势垒的晶体行为来降低Cu互连的接触电阻
机译:超薄和高度热稳定的α-Ta/渐变Ta(N)/ TaN多层膜的设计和制造,作为Cu互连的扩散阻挡层
机译:超薄TaN和三元Ta_(1-x)Al_xN_y膜的原子层沉积,用于高级互连中的Cu扩散阻挡层应用
机译:在Cu / SiLK(TM)金属化方案中,集成非晶钽氮化硅(TaSiN)薄膜作为扩散阻挡层。
机译:用于Cu / Si Connect系统的Alcrtatizr / AlcrtatizR-N高熵合金薄膜的扩散阻挡性能
机译:Cu互连的Cu沉积Ni-B扩散屏障Cu扩散的相变
机译:金属阻挡层和互连薄膜的生长和结构I:实验