Ioffe Physico-Technical Institute, St. Petersburg, 194021, Russia;
tellurium; electrical resistivity; hall effect; hole mobility; grain boundary scattering; magnetoresistance; micro and nano structures;
机译:双探针原子力显微镜研究晶界对有机晶粒电性能的影响
机译:双探针原子力显微镜研究晶界对有机晶粒电性能的影响
机译:结晶微结构和D波对称性主导的45度晶界YBACUO晶界的电学性质
机译:谷物边界对碲组织锭和纳米簇晶体电性能的影响
机译:晶体硅中晶界和位错的电学性质:杂质掺入和氢化的影响。
机译:Nb含量对晶粒硅钢沉淀晶粒组织质地和磁性磁性的影响
机译:颗粒内mns颗粒对晶粒取向电工钢二次再结晶前边界迁移的影响
机译:晶界对多晶硅薄膜电性能的影响。进展报告,1980-1981