Department of Physics and Measurement Technology, Linkoeping University, SE-581 83 Linkoeping, Sweden;
electron irradiation; ligand hyperfine interaction; ODMR; silicon vacancy;
机译:4H-和6H-SiC中空硅空位上的配体超精细相互作用-art。没有。 155214
机译:4H-SIC硅空位的配体高浓度相互作用
机译:氮对4H-SiC金属氧化物半导体场效应晶体管中态分布的界面密度的影响:超超精细相互作用和近界面硅空位能级
机译:来自硅中铁-空位对的新电子自旋共振谱:II。超精细相互作用和同位素效应
机译:使用Angelov模型在PSpice中对碳化硅(SIC)垂直结场效应晶体管(VJFET)进行紧凑建模,并使用SIC VJFET模型对PSpice模拟电路构建模块进行仿真。
机译:配体结合的S =固氮酶的1/2 FeMo-辅因子:超精细相互作用分析和中心配体X身份的含义。
机译:4H-SIC硅空位的配体高浓度相互作用
机译:横向磁场下金刚石氮空位集合的超精细水平相互作用。