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HYPERFINE SILICON CARBIDE PARTICLE, ITS PREPARING METHOD AND HYPERFINE SILICON CARBIDE SINTERED COMPACT

机译:超细碳化硅颗粒,其制备方法和超细碳化硅烧结体

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a hyperfine SiC particle which keeps a compressed state of nano-sized SiC when the hyperfine SiC particle is packed in a forming die even if a binder is not used and has so excellent formability that a normal pressure sintering method can be applied and to provide a method for preparing the hyperfine SiC particle.;SOLUTION: The hyperfine SiC particle has 10-100 nm particle size, contains a C-H bond and a Si-H bond and has excellent formability.;COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
机译:解决的问题:提供一种即使在不使用粘合剂的情况下即使将超细SiC颗粒填充在成型模具中也能保持纳米级SiC压缩状态的超细SiC颗粒,并且其成型性如此优异以至于常压烧结法可以应用,并提供一种制备超细SiC颗粒的方法。;解决方案:超细SiC颗粒具有10-100 nm的粒径,包含CH键和Si-H键并具有出色的可成型性。; COPYRIGHT:(C )2009,日本特许厅

著录项

  • 公开/公告号JP2008239404A

    专利类型

  • 公开/公告日2008-10-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 COVALENT MATERIALS CORP;

    申请/专利号JP20070082527

  • 发明设计人 OHASHI TADASHI;KOBAYASHI YOSHIAKI;

    申请日2007-03-27

  • 分类号C04B35/626;C04B37/00;C01B31/36;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 20:23:21

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