GES, CNRS UMR5650, CC074, Universite Montpellier II, Place E. Bataillon, 34095 Montpellier Cedex 5, France;
III-V and II-VI semiconductors; quantum dots; chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
机译:加压金属有机气相外延生长InN薄膜的拉曼散射表征
机译:利用金属有机气相外延和射频分子束外延型外延石墨烯IN INN成核层的生长机制
机译:用于金属有机气相外延的气相反应途径分析
机译:金属有机气相外延和纳米结构应用INN的拉曼光谱
机译:通过氢化物-金属有机气相外延生长氮化镓和氮化铟膜以及纳米结构材料。
机译:Inn量子点和纳米结构的金属化学化学气相沉积
机译:V / III摩尔比对金属有机气相外延生长InN中In空位形成的影响
机译:金属有机气相外延1986.金属有机气相外延国际会议论文集(第3期)于1986年4月13日至17日在加利福尼亚州环球城举行