State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Metallurgy, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai 200050, China;
characterization; molecular beam epitaxy; arsenates; phosphides; bipolar transistors;
机译:GSMBE生长在In_0.49Ga_0.51P / G / GaAs异质结双极晶体管中,该晶体管具有重掺杂铍的基极和未掺杂的垫片
机译:气体源分子束外延生长具有双垫片的高电流增益In0.49Ga0.51P / GaAs异质结双极晶体管
机译:拟态基极-发射极隔离层对掺杂铍的InGaAs / InAlAs异质结双极晶体管的电流诱导降解的影响
机译:GSMBE成长IN_(0.49)GA_90.51)P / GAAS异质结双极晶体管,具有严重铍掺杂基底和未掺杂的间隔物
机译:In(0.49)Ga(0.51)P / GaAs异质结双极晶体管的建模,用于ADC和MMIC电路设计。
机译:mOCVD生长的InGa / Gaas发射极三角洲掺杂异质结双极晶体管
机译:假晶基极 - 发射极间隔层对铍掺杂InGaas / Inalas异质结双极晶体管电流诱导退化的影响