首页> 外文会议>International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China >Epitaxial growth and characterization of GaN Films on (0 0 1)GaAs substrates by radio-frequency molecular beam epitaxy
【24h】

Epitaxial growth and characterization of GaN Films on (0 0 1)GaAs substrates by radio-frequency molecular beam epitaxy

机译:射频分子束外延在(0 0 1)GaAs衬底上外延生长和表征GaN薄膜

获取原文
获取原文并翻译 | 示例

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号