L2MP, UMR-CNRS 6137, universite Paul Cezanne, case 142, faculte de saint Jerome, 13397 Marseille cedex 20, France;
silicide; nickel; stability; nucleation; platinum; germanium; ternary phase diagram;
机译:第三元素对Si上NiSi薄膜稳定性的影响
机译:NiSi和NiSi_2薄膜的热稳定性研究
机译:Ti覆盖层对使用Ni(〜iPr-DAD)_2前驱体通过金属有机化学气相沉积法沉积的Ni薄膜形成的NiSi热稳定性的影响
机译:第三个元素对SI的NISI薄膜稳定性的影响
机译:氧化锶铁/二氧化硅/硅和氧化锶铁/氧化铝薄膜系统的热稳定性:透射电子显微镜研究薄膜系统的界面结构和氧化锶铁/氧化铝的电导传感响应。
机译:通过辉光放电光谱研究掺杂元素来表征非晶硅薄膜。电导率和带隙能量测量的相关性
机译:Ni(30 nm)/ Pt(2 nm; 6 nm)/ Siep中NiSi相的形成和热稳定性。 (50 nm)/ Si(001)薄膜系统
机译:金属诱导si薄膜和Nisi纳米线的生长