Materials and Engineering Research Institute, Sheffield Hallam University, S1 1WB, Sheffield, United Kingdom;
NXP Semiconductors, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium;
ultra shallow; DLTS; ion implantation; Si;
机译:注入形成的硅中超浅结的深能级瞬态光谱
机译:注入形成的硅中超浅结的深能级瞬态光谱
机译:用深能级瞬态光谱和拉普拉斯变换深能谱研究GaN p-n结的深能级
机译:通过植入形成的Si中超浅线的深层瞬态光谱
机译:利用深能级瞬态光谱研究基于氮化物的多结太阳能电池结构
机译:在(100)和(311)B GaAs衬底上生长的GaAs / AlGaAs多量子阱的深层瞬态光谱
机译:通过注入形成的si中超浅结的深能级瞬态光谱