Kanagawa Institute of Technology 1030 Shimo-ogino Atsugi 243-0292 Japan;
机译:射频反应磁控溅射制备MgO薄膜的表面放电特性
机译:GITT法测定射频溅射沉积非晶Li_xV_2O_(5-y)薄膜阴极的充放电特性和锂离子扩散率
机译:MgO溅射功率对射频磁控溅射生长的MgZnO薄膜特性的依赖性
机译:由R.F.溅射和通过Gitt测定的R.F.溅射和锂离子扩散率的无定形Li {Sub×XV {Sub} 2O {Sub} 2O}(5-Y)薄膜阴极的电荷/放电特性。
机译:微观结构 和组成 的可调性 在 溅射沉积 过渡金属 碳化物 薄膜 使用 超低 反应 气体压力 和2D 层
机译:非晶态和纳米晶化的Dc溅射沉积MgO薄膜的磁性
机译:ar +束溅射对mgO(001)衬底上Fe薄膜磁各向异性的影响