Institute of Microelectronics and Optoelectronics Warsaw University of Technology Poland;
Logic gates; Tunneling; MOSFET; Analog circuits; Semiconductor device modeling;
机译:电流控制的截止态击穿中AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的性能下降
机译:电流控制的截止态击穿时AIGaN / GaN高电子迁移率晶体管的性能下降
机译:混合光电器件中VO 2 sub>微线的电流控制相变特性
机译:MOS晶体管作为电流控制的装置
机译:通过基于Monte Carlo粒子的器件仿真对GaN高电子迁移率晶体管和热电子晶体管进行建模和设计。
机译:作为后CMOS器件基于石墨烯的横向异质结构晶体管表现出比基于石墨烯的垂直晶体管更好的固有性能
机译:支持和解释mOsavanvés:dispositif FD-sOI,transistor sans jonctions(JLT)ettransistoràcoucheminceàlele-conducteur d'oxyde amorphe。高级mOs器件的电气特性和建模:FD-sOI器件,无结晶体管和非晶氧化物半导体薄膜晶体管
机译:实空间转移的集合蒙特卡罗模拟(NERFET /正泰)(负差分电阻场效应晶体管/电荷注入晶体管)器件