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韩萌;
南京信息职业技术学院;
MEDICI; 晶体管; 器件模拟;
机译:0.8微米BICMOS双极晶体管的预测性最坏情况统计模型:基于过程和混合器件/电路级模拟器的方法
机译:作为后CMOS器件,基于石墨烯的横向异质结构晶体管表现出比基于石墨烯的垂直晶体管更好的固有性能
机译:基于电荷的MOS晶体管模型中的量子效应建模,用于模拟纳米级CMOS模拟电路
机译:晶体管中双极晶体管的三维表征使用集成工艺和器件的亚微米BiCMOS技术模拟
机译:通过基于Monte Carlo粒子的器件仿真对GaN高电子迁移率晶体管和热电子晶体管进行建模和设计。
机译:作为后CMOS器件基于石墨烯的横向异质结构晶体管表现出比基于石墨烯的垂直晶体管更好的固有性能
机译:支持和解释mOsavanvés:dispositif FD-sOI,transistor sans jonctions(JLT)ettransistoràcoucheminceàlele-conducteur d'oxyde amorphe。高级mOs器件的电气特性和建模:FD-sOI器件,无结晶体管和非晶氧化物半导体薄膜晶体管
机译:上海无线电厂14.全国第一家专注于mOs集成电路的无线电厂。理想的半导体器件,场效应晶体管和mOs集成电路
机译:MOS晶体管,制造MOS晶体管的方法,包括MOS晶体管的CMOS半导体器件以及包括CMOS半导体器件的半导体器件
机译:MOS晶体管,制造相同MOS晶体管的方法,使用相同MOS晶体管的CMOS型半导体器件以及使用相同CMOS型半导体器件的半导体器件
机译:制造p型MOS晶体管的方法,制造包括该p型MOS晶体管的CMOS半导体器件的方法以及通过该制造方法制造的CMOS半导体器件
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