NTT Basic Research Laboratories NTT corporation Japan;
Aluminum nitride; III-V semiconductor materials; Surface morphology; Surface treatment; Modulation; Epitaxial growth; MOCVD;
机译:通过流速调制外延在SiC衬底上生长非极性AlN(1120)和(1100)膜
机译:金属有机气相外延在独立AlN衬底上AlN层的同质外延生长
机译:等离子体辅助分子束外延在4H-SiC上生长非极性a平面和m平面AlN的比较研究
机译:在ALN散装基材上生长的非极性M平面ALN主页层的流速调制外延
机译:块状AlN单晶衬底上的富铝AlGaN和AlN生长
机译:使用双AlN缓冲层在m面蓝宝石上生长的半极性(11-22)GaN的各向异性结构和光学性质
机译:流量调制外延(PHORS。Status Solidi B 2/2017的非极性M-平面Aln Homoepitaxial层的表面形态控制)
机译:射频磁控溅射和离子辅助分子束外延生长alN薄膜的比较