Institute for Design Problems in Microelectronics RAS Sovetskaja street 3 Moscow 124681 Russia;
fe ions diffusion; czochralsky silicon crystal; surface photo-voltage technique; recombination centers; oxygen complexes; thermodonors annealing;
机译:B掺杂的直拉硅晶体热电偶退火过程中铁离子的扩散和氧配合物的演化
机译:高温退火下取向不同的铁硅单晶中硫的扩散
机译:在高温退火时,铁 - 硅的硅单晶中的硫扩散
机译:FE离子扩散和氧气复合物在B掺杂Czochralsky硅晶体中的热电池退火期间的进化
机译:钛矿中的氧扩散:单晶中的晶格扩散和快速路径扩散。
机译:注入碳离子的Cz和FZ硅晶体中氧配合物的结构和电学性质
机译:通过多波长拉曼光谱在快速热退火过程中非接触式监测硅衬底上B掺杂外延si1-xGex双层中的Ge和B扩散
机译:450℃热退火对B掺杂CZ si晶片中氧沉淀的影响