Institute of Microelectronics Chinese Academy of Sciences Beijing 100029 P. R. China;
Institute of Microelectronics Chinese Academy of Sciences Beijing 100029;
Gas detectors; Adsorption; Boron; Nanoscale devices; Microelectronics; Sensitivity;
机译:氮化硼纳米管(BNNTs),非晶氮化硼纳米管(aa ?? BNNTs)和六边形氮化硼纳米管(ha ?? BNNTs)的组合计算和QM / MM分子动力学研究
机译:轴向应变对之字形氮化硼纳米管(BNNT)结构和电子性能的影响:量子化学研究
机译:通过第一性原理研究C掺杂的氮化硼纳米管的电子性能
机译:硼氮化物纳米管(BNNT)装置的吸附性能:第一原理计算研究
机译:基于碳纳米管的系统中的纳米尺度粘附相互作用以及碳和氮化硼纳米管力学性能的实验研究。
机译:调整石墨烯的电子和磁性用横向电将薄片嵌入氮化硼纳米带中领域:第一性原理计算
机译:氧onH封装(5,5)氮化硼纳米管(BNNT)的吸附性能 - 密度泛函理论