Efficient Power Conversion Corp. El Segundo CA USA;
FET; GaN FET; MOSFET; enhancement mode; gallium nitride; transistor;
机译:摩尔定律迎接发展:到2010年,“超越摩尔定律”运动将重点放在系统集成而非晶体管密度上,这将带来革命性的多功能电子产品
机译:摩尔定律:硅谷安静的革命家戈登·摩尔的生平
机译:摩尔定律:柯登摩尔的生活,硅谷的安静革命
机译:GaN晶体管 - 为Moore的法律提供新的生活
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:具有再生欧姆接触的半绝缘Ammono-GaN衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:热声子寿命对块状GaN衬底上的InAlN / AlN / GaN异质结构场效应晶体管中电子速度的影响
机译:GaN功率电子器件:从GaN-on-si横向晶体管到GaN-on-GaN垂直晶体管和GaN CmOs IC。