ECSE Dept, Rensselaer Polytechnic Institute, 110 8th Street, Troy, NY 12180;
Avalanche multiplication; avalanche photodiodes; photodetectors; semiconductor device modeling; optoelectronic devices; optical fiber telecommunication;
机译:双倍增层和双电荷层的InP / InGaAs雪崩光电二极管倍增特性的理论研究
机译:InGaAs / InP复合收集器的基于InP的HBT中雪崩倍增的温度依赖性:器件表征和物理模型
机译:乘法层对IngaAs / InP雪崩光电二极管暗电流分量的影响
机译:基于时域建模的INP / INGAAS雪崩光电二极管的乘法层厚度的性能依赖性
机译:高速GaAsSb-InP和InGaAs-InP单向载流子光电二极管的仿真与比较
机译:等离子体场限制用于InGaAs纳米柱雪崩光电二极管中的单独吸收-倍增
机译:基于时域建模的InP / InGaAs雪崩光电二极管倍增层厚度的性能相关性