超臨界流体薄膜形成技術によるSiトレンチ基板へのCu製膜の検讨

摘要

ボッシュプロセス(1)の実用化以来，深掘り反応性イオンエツrnチング（DRIE)によって高いアスペクト比のシリコン構造 を作製できるようになり，MEMSのみならずシリコン貫通 電極（TSV: Through Silicon Via) (2)等，様々なデバイスへと 展開されている(3).エッチングによって形成した細孔や深溝 (トレンチ）構造を図1に示すように銅，ニッケル，パーマ ロイ，金等の各種金属材料で埋め戻すことが出来れば，構造 体，機構部品，電子デバイスとして活用でき，MEMS加工 技術の適用範囲がさらに拡大できる.そのためには，シリコ ン並びに最表面をSi02層で絶縁した深掘り微細構造に対し てそれぞれ被覆性良く金属膜を成膜する手法が必要である.