Rheinische Friedrich-Wilhelms University of Bonn Bonn D-53115 Germany;
University of Glasgow Glasgow G12 8QQ United Kingdom;
Università e INFN Bologna Bologna I-40127 Italy;
Rheinische Friedric;
Sensor phenomena and characterization; CMOS technology; Active pixel sensors; Conductivity; High-voltage techniques; High energy physics;
机译:用于耗尽整体活性像素传感器的新型辐射硬CMOS传感器过程的首次试验
机译:CMOS单块有源像素传感器的工艺改进,以增强耗尽,定时性能和辐射耐受性
机译:适用于LHC的高电阻率150 nm技术的耗尽型全片式有源CMOS像素传感器(DMAPS)
机译:用于耗尽整体活性像素传感器的新型CMOS过程中的开发
机译:使用CMOS有源像素传感器的片上空间图像处理。
机译:采用四阱技术的单片有源像素传感器(MAPS)可实现接近100%的填充因子和完整的CMOS像素
机译:用于耗尽整体活性像素传感器的新型辐射硬CMOS传感器过程的首次试验