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公开/公告号CN1819630B
专利类型发明专利
公开/公告日2010-09-29
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN200610006730.8
发明设计人 金永灿;金利泰;
申请日2006-02-07
分类号
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人陶凤波
地址 韩国京畿道
入库时间 2022-08-23 09:05:03
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-09-29
授权
2008-04-02
实质审查的生效
2006-08-16
公开
机译: 背照式有源像素传感器阵列和包括背照式有源像素传感器阵列的背照式图像传感器
机译: 使用指型源极跟随器晶体管的CMOS有源像素传感器和有源像素传感器阵列
机译:有源像素传感器阵列中重离子诱导的单事件效应
机译:用于同步加速器光源的有源边缘像素传感器阵列的X射线计量
机译:有源像素传感器阵列,用于从单细胞到大规模神经网络的高时空分辨率电生理记录
机译:使用反馈结构的CMOS有源像素传感器的CMOS有源像素传感器的动态范围扩展
机译:测量有源像素传感器星相机的像素响应函数的实验技术
机译:采用四阱技术的单片有源像素传感器(MAPS)可实现接近100%的填充因子和完整的CMOS像素
机译:由大区域双层MOS2晶体管电路驱动的高度敏感的有源像素图像传感器阵列
机译:使用外延硅敏感区域的集成X射线和带电粒子有源像素CmOs传感器阵列