IHP , Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany;
IHP , Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany;
IHP , Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany;
Siltronic AG, Hanns-Seidel-Platz 4, 81737 Muenchen, Germany;
机译:FTIR光谱和STEM研究RTA预处理的切克劳斯基硅晶片中氧沉淀的形态
机译:通过EDX,EELS和FTIR光谱研究直拉硅片中氧沉淀物的化学计量
机译:快速热退火预处理后的硅片中氧沉淀的形貌
机译:在RTA预处理的Czochralski硅晶片的氧气沉淀物的形态学通过FTIR光谱和茎研究
机译:CZOCHRALSKI硅晶圆中的裸露区域。
机译:从FTIR差谱证据氢键光系统II的涉及D1-Glu65D2-Glu312和D1-Glu329放氧mn4Ca簇附近的广泛的网络
机译:Czochralski硅中氧沉淀物和剥蚀区稳定性的研究
机译:液体包裹的Czochralski生长的砷化镓晶片中碳的空间分辨局部振动模式光谱。