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机译:通过EDX,EELS和FTIR光谱研究直拉硅片中氧沉淀物的化学计量
IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany;
IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany;
IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany;
IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany;
Siltronic AG, Hanns-Seidel-Platz 4, 81737 Muenchen, Germany;
Siltronic AG, Hanns-Seidel-Platz 4, 81737 Muenchen, Germany;
Stoichiometry; Oxygen precipitates; Silicon; EDX; EELS; FTIR; Spectroscopy;
机译:FTIR光谱和STEM研究RTA预处理的切克劳斯基硅晶片中氧沉淀的形态
机译:二次离子质谱法观察到退火后的切克拉斯基硅片中氮在氧沉淀上的聚集
机译:Czochralski硅晶片中氧气沉淀物组成的当前阶段
机译:FTIR光谱和STEM研究RTA预处理的切克劳斯基硅片中氧沉淀的形态
机译:CZOCHRALSKI硅晶圆中的裸露区域。
机译:类金刚石碳涂层硅晶片和铁敏感染料的红外衰减全反射光谱腐蚀检测
机译:Czochralski硅中氧沉淀物和剥蚀区稳定性的研究
机译:液体包裹的Czochralski生长的砷化镓晶片中碳的空间分辨局部振动模式光谱。