Res. Dev., Taiwan Semicond. Manuf. Co. Ltd., Hsin-Chu, Taiwan;
机译:等离子氮化和高温后氮化退火制备厚度小于1nm等效氧化层的高迁移率氮化硅化Gate栅极电介质
机译:等离子体诱导的超薄(3 nm)栅极氧化物中的电荷损伤
机译:等离子体诱导的电荷损伤对具有SiO_2和高k栅极电介质的金属氧化物半导体场效应晶体管中随机电报噪声的影响
机译:等离子体氮化工艺对等血浆诱导损伤对超薄(≤1.5nm)栅极电介质对等效氧化物厚度的影响
机译:用于金属氧化物半导体栅极介电应用的二氧化硅远程等离子体氮化研究。
机译:非热介电屏障放电等离子体诱导的灭活涉及大肠杆菌中的氧化性DNA损伤和膜脂质过氧化。
机译:超薄(3-nm)栅氧化层中等离子体诱导的充电损伤
机译:二氧化硅热氮化制备薄氧氮化物栅介质的性能