Georgia Institute of Technology, School of Electrical Computer Engineering, Atlanta, GA, USA 30332-0250;
spintronics; diluted magnetic semiconductor; GaMnN; ferromagnetic semiconductor; MOCVD;
机译:氮化镓基铁磁稀磁半导体通过载流子共掺杂法增强Tc的尺寸补偿
机译:In_(1-x)Mn_xAs稀磁半导体量子点的生长与表征
机译:纳米晶过渡金属掺杂稀磁半导体的化学合成,表征及光学性质研究进展
机译:回顾近期氮化物基稀磁半导体的增长和表征的努力
机译:稀释的磁性半导体纳米线的生长,结构和光学特性。
机译:稀磁半导体(BaK)(ZnMn)2As2的单晶生长和自旋极化测量
机译:书评 - 稀释磁半导体(Vol.25,半导体和eMimetals)由Jacek K. Furdyna和Jacek Kossut(Academie Press,1988),470页编辑。 ISBN:0-12-752125-9 - 通过Gary E.CoGuire(Noyes Publications,1989)编辑的半导体材料(原理和方法,第1卷)的表征,约328页。 ISBN:0-8155-1200-7