Centre Interuniversitaire de Recherche et d'Ingenierie des Materiaux, CNRS/INPT, ENSCT, 118 Route de Narbonne, 31077 Toulouse cedex 4, France;
机译:通过高效的DLI-MOCVD工艺在流出物回收模式下在低温下碳化铬生长
机译:低温MOCVD工艺可在金属基材上快速沉积铝
机译:具有化学柔性的前体可用于低温氮化硅沉积工艺
机译:用于低温沉积氮化铬相的新型MOCVD工艺
机译:氮化铝和氮化硅的低温热化学气相沉积和催化化学气相沉积
机译:使用肼作为氮源的氮化铝的低温热原子层沉积
机译:通过高效的DLI-MOCVD工艺在废水再循环模式下在低温下生长碳化铬