Crystal Growth Division, NeosemiTech Corp., 357-13, Dangha-dong, Seo-ku, Inchon 404-818, Rep. of Korea;
6H-SiC; polytype domain; 4H-SiC; 15R-SiC; micropipe;
机译:一种抑制大尺寸SiC单晶生长过程中生长诱导多型域的新方法
机译:偏振光学显微镜,光散射层析成像和热显微镜研究6H-SiC单晶中混合多型体的缺陷和热导率
机译:PVT法生长的6H-SiC单晶中失配域形成的影响因素
机译:在6H-SIC单晶中生长诱导的聚卵结构的进化根
机译:铁电单晶和多晶陶瓷中的畴转换和微裂纹。
机译:(KNa)(NbTa)O3单晶的介电和机电性能与温度的关系以及相应的畴结构演化
机译:用BATIO3在Na1 / 2bi1 / 2tio3晶体中的结构域结构的演变
机译:6H-sIC单晶缺陷的白光束同步加速器地形研究