Division of Mathematics, Electronics and Information, Saitama University 255 Shimo-Okubo, Sakura-ku, Saitama-shi, Saitama 338-8570, Japan;
CNR-IMM Sezione di Bologna, via Gobetti 101, 40129 Bologna, Italy;
metal-oxide-semiconductor capacitor; nitrogen ion-implantation; amorphization; wet oxidation; capacitance to voltage measurement; interface state density;
机译:通过湿法预注入氮的n型4H-SiC获得的MOS电容器
机译:预氧化氮注入制备的4H-SiC MOS电容器中的电子俘获
机译:分析4H-SiC / SiO_2界面处的电子陷阱;湿式氧化之前氮注入的影响
机译:通过氮离子注入的P型4H-SiC湿氧化通过湿氧化MOS电容器
机译:增强脉冲电晕法去除湿式静电除尘器中燃烧气体中的二氧化硫和氮氧化物。
机译:弱酸阴离子对氨水选择性催化湿空气氧化为氮的影响
机译:在高剂量注入氮的n型4H-siC上制造的mOs电容器的表征