Fraunhofer Institute of Integrated Systems and Device Technology (IISB) Schottkystrasse 10, 91058 Erlangen, Germany;
EUV mask; multilayer defects; lithography simulation;
机译:通过EUV图案晶圆的全芯片光学检测来检测可印刷的EUV掩模吸收层缺陷和缺陷添加物
机译:基于相干衍射成像方法聚焦EUV聚焦的EUV显微镜的EUV掩模缺陷评估
机译:具有图案粗糙度的极紫外掩模吸收剂缺陷对光刻图像的影响
机译:EUV掩模缺陷对光刻工艺性能的影响
机译:具有掩埋缺陷的EUV光刻掩模的仿真和补偿方法。
机译:双耳处理的皮质测量值可预测掩蔽性能的空间释放
机译:减轻EUV面罩缺陷的综合缺陷避免框架