Device and fabrication issues of high performance si/sige fets

机译：高性能si / sige FET的设备和制造问题

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A review of the latest results on high performance Si/SiGe FETs grown on relaxed buffer is presented. A discussion of the fabrication issues facing the achievement of these devices is also included.

机译：本文介绍了在松弛缓冲器上生长的高性能Si / SiGe FET的最新结果。还包括对实现这些设备所面临的制造问题的讨论。

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来源
《Epitaxy and applications of si-based heterostructures》|1998年|p.83-92|共10页
会议地点 San Francisco CA(US)
作者
M. Arafa; I. Adesida; K. Ismail;
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原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类一般工业技术;
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