Northern Ireland Semiconductor Research Centre, Queen's University Belfast, Ashby Building, Stranmillis Road, Belfast, Northern Ireland, UK, BT9 5AH;
机译:通过薄硅锗虚拟衬底的晶圆键合和层分割进行sSOI制造
机译:通过直接晶圆键合为纳米结构热电器件制造高质量的绝缘体上薄锗层
机译:利用GaAs起始衬底通过Fe掺杂厚GaN层的氢化物气相外延法制备半绝缘GaN晶片
机译:利用离子分裂和晶圆键合技术制备亚微有源层SSOI基质
机译:通过晶圆键合和先进的离子注入层分离技术进行半导体薄膜转移。
机译:半导体晶圆键合技术在硅/石墨烯/硅双异质结构的制备中的应用
机译:背对背基板晶圆键合:制造双面涂层晶圆的新方法