IBM Research, T.J. Watson Research Center, P.O. Box 218, Yorktown Heights, NY 10598;
IBM Semiconductor Research and Development Center Microelectronics Division, Hopewell Junction, NY 12533;
机译:低温A-GE晶片键合制造的不同粘合结构的界面特性及晶片键合GE / Si光电装置的应用
机译:通过室温共价晶圆键合获得的Si-Si界面的电性能
机译:等离子辅助InP / Al2O3 / SOI直接晶圆键合中亲水键合界面上的氧化物形成
机译:通过亲水键合的混合取向Si-Si界面和高温氧化物溶解:晶片制造技术和装置应用
机译:晶圆结合低温生长的化合物半导体材料,用于光电器件应用。
机译:半导体晶圆键合技术在硅/石墨烯/硅双异质结构的制备中的应用
机译:用薄纳米晶金属膜的晶片室温键合及其在设备制造中的应用
机译:用于电子器件应用的氧化物低温键合