Laboratoire Hyperfréquence Semi-conducteur (LHS), Département d'Electronique, Université Mentouri, Constantine, 25000, ALGERIA;
机译:采用0.13 / spl mu / m SiGeC BiCMOS HBT的40 GHz单端下变频混频器
机译:薄膜SOI上Si / SiGeC HBT的电行为和工艺优化
机译:InGaAs / InP MHBT和HBT技术的优化:铍扩散现象的控制和建模
机译:SIGEC HBT为0.13μmBICMOS技术的数值模拟与优化
机译:使用SiGe HBT BiCMOS技术的高速串行电路。
机译:使用地下水数值模拟模型和优化模型废弃矿工多重反应物种的源表征
机译:在0.13 µm准自对准SiGe:C HBT中优化外部多晶硅基片电阻