Department of Electrical Engineering, National Chi Nan University, Puli, Nantou 54561, Taiwan, R.O.C;
Department of Applied Materials and Optoelectric Engineering, National Chi Nan University, Puli, Nantou 54561, Taiwan, R.O.C;
Department of Electrical Engineering, National Chi Nan University, Puli, Nantou 54561, Taiwan, R.O.C;
Department of Electrical Engineering, National Chi Nan University, Puli, Nantou 54561, Taiwan, R.O.C;
机译:机械应变作用下二氧化硅薄膜的位置依赖性纳米尺度击穿特性
机译:纳米级恒压和恒流应力作用下薄栅极氧化物的击穿时间威布尔分布
机译:研究堆叠的二氧化硅/氮化硅结构中的薄膜应力,并量化它们对频率响应的影响
机译:纳米尺度脉冲电压应力进行薄二氧化硅膜的劣化
机译:嵌段共聚物薄膜在二氧化硅纳米模板上的聚合液体的纳米尺度物理学。
机译:Nd含量对富硅二氧化硅薄膜结构和光致发光性能的影响
机译:脉冲激光沉积法优化硅上二氧化钒薄膜生长条件
机译:硅上薄二氧化硅薄膜的测量与建模