Solid State Phys., Lund Univ., Lund, Sweden;
III-V semiconductors; MOSFET; indium compounds; nanowires; semiconductor quantum wires; tunnelling; InAs; InSb; InSb-InAs; channel material; conduction band; effective mass; nanowire lll-V MOSFET; parasitic leakage; quantum capacitance; source injection velocity; tunneling;
机译:InAs / InSbAs和InSb / InSbAs超晶格异质结构中的电子能带结构工程
机译:InSb / InAs纳米结构的InSb / InAs纳米结构的温度依赖性光致发光
机译:具有InSb亚单层的IIInSb / InAs型纳米结构的分子束外延
机译:比较INSB,INAS和INAS纳米线MOSFET
机译:InAs / GaInSb和InAsN / GaInSb应变层超晶格带隙的理论模拟。
机译:自催化的INSB / INAS量子点纳米线
机译:自催化INAS / INSB轴向异质结构纳米线的生长:实验与理论
机译:Insb和Inas(sub 0.15)sb(sub 0.85)/ Insb应变层超晶格的氯反应离子束蚀刻。