A study of pattern variability for device performance

机译：关于器件性能的模式可变性的研究

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As semiconductor process technology scales down to sub 30nm process node and beyond dimensions, theprintability and process window of the lithographic patterns are seriously reduced due to the fundamentallimit of the lithography and process variations.In

机译：随着半导体制程技术缩小到30nm以下制程节点并超出尺寸，由于制版技术和制程变化的基本限制，光刻图案的可印刷性和制程窗口被严重降低。

著录项

来源
《Design for manufacturability through design-process integration VI.》|2012年|P.0Y.1-0Y.7|共7页
会议地点 San Jose CA(US)
作者
Tae-Heon Kim; Dae-Han Han; Ae-Ran Hong; Yong-Hyeon Kim; Joo-Sung Lee; Yun-Hye Chu; Kweon-Jae Lee; Yong-Jik Park;
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作者单位

SAMSUNG Electronics Co., Ltd. (Korea, Republic of);

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类微电子学、集成电路（IC）;微电子学、集成电路（IC）;
关键词

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