Centre for Electronic Materials, UMIST, Manchester, M60 1QD, UK;
Centre for Electronic Materials, UMIST, Manchester, M60 1QD, UK;
Dept of Physics, University of Sheffield, Sheffield, S3 7RH, UK;
Centre for Electronic Materials, UMIST, Manchester, M60 1QD, UK;
Dept of Physics, University of Sheffield, Sheffield, S3 7RH, UK;
机译:具有粒子型识别的位置敏感探测器,用于在混合田中记录中子和伽马源的图像
机译:GaAs层的电物理性质和快速粒子GaAs探测器的特性
机译:基于伪形AlGaAs-InGaAs-GaAs异质结构的栅区参数对微波场效应晶体管静态特性的影响研究
机译:Si GaAs粒子探测器中高场区域的成像
机译:减少GaAs和InGaAs有源区中的侧壁界面复合
机译:具有垂直场和嵌入式薄低温生长层的GaAs检测器的性能增强
机译:GaAs粒子探测器中电场的计算
机译:使用高速取景相机和粒子图像测速成像的爆炸驱动粒子场