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Defect recognition and image processing in semiconductors and devices
Defect recognition and image processing in semiconductors and devices
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1.
Cathodoluminescence and transmission electron microscopy study of island formation on InAs/InP QW structures during growth interruptions
机译:
阴极发光和透射电子显微镜研究在生长中断期间InAs / InP QW结构上岛的形成
作者:
D. Araujo
;
F. Pachec
;
J.-F. Carlin
;
A. Rudra
;
S.I. Molina
;
R. Garcia
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
|
1993年
2.
Characterisation of the (Hg_xMn_(1-x)Te/CdTe interface by TEM
机译:
(Hg_xMn_(1-x)Te / CdTe界面的TEM表征
作者:
H Tatsuoka
;
K Durose
;
M Funaki
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
|
1993年
3.
Investigation of defects induced during the fabrication of integrated sensors on GaAs using ion implantation
机译:
利用离子注入研究在砷化镓上集成传感器制造过程中引起的缺陷
作者:
Jianmin Miao
;
Hans L. Hartnagel
;
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;
Dorothee Rueck
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
|
1993年
4.
Correlation of device parameters with crystal defects observed after anisotropic etching
机译:
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作者:
G Kissinger
;
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;
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会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
|
1993年
5.
A mathematical morphology-based system for IC's inspection and analysis
机译:
基于数学形态学的集成电路检查和分析系统
作者:
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;
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;
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;
X.Roca
;
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;
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1993年
6.
Characterization of slip-like defects in InGaAs epitaxial layers grown on Fe doped semi-insulating InP
机译:
Fe掺杂半绝缘InP上生长的InGaAs外延层中滑样缺陷的表征
作者:
C J Miner
;
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;
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;
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|
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Influence of defects on diffusion length inhomogeneity in GaAs:Te wafers
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8.
Thermally stimulated current measurements in semi-insulating LEC GaAs having undergone different heat treatments
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9.
Deep-level defects in epitaxial silicon for VLSI technology
机译:
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作者:
P.Kaminski
;
R.Kozlowski
;
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;
J.Samecki
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
|
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10.
Surface/interface charge imaging by time resolved surface photovoltage
机译:
通过时间分辨的表面光电压对表面/界面电荷成像
作者:
A.M. Kontkiewicz
;
M. Dexter
;
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;
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;
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;
L. Jastrzebski
;
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;
K. Mishra
;
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会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
|
1993年
11.
Using the defocus in optical inspection of integrated circuits
机译:
使用散焦在集成电路的光学检查中
作者:
X.Binefa
;
J.Sanchez
;
F.X.Perez
;
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;
J.Vitria
;
JJ.Villanueva
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|
1993年
12.
Optical sampling for high speed electronics
机译:
高速电子设备的光学采样
作者:
J.F. Whitaker
;
H.-J. Cheng
;
D. Craig
;
G.A. Mourou
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
|
1993年
13.
Electro-optical sampling for high frequency electric circuits
机译:
高频电路的电光采样
作者:
Paul Biernacki
;
Dag R. Hjelme
;
Kuang Yi Chen
;
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;
Alan R. Mickelson
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
|
1993年
14.
Macroscopic and microscopic characterization of residual strains in LEC-grown III-V compound wafers
机译:
LEC生长的III-V型复合晶片中残余应变的宏观和微观表征
作者:
Masayoshi Yamada
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
|
1993年
15.
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机译:
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作者:
P Franzosi
;
S Bemardi
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
|
1993年
16.
TEM techniques to analyze the origin of inhomogeneities in InAlAs layers
机译:
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作者:
F. Peiro
;
A. Cornet
;
J.R. Morante
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
|
1993年
17.
A novel method for whole-wafer alloy composition mapping
机译:
全晶片合金成分映射的新方法
作者:
T.W. Steiner
;
M. L.W. Thewalt
;
R. Balasubramanian
;
B. Bollong
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
|
1993年
18.
Visualization of inhomogeneities of crystal growth by optical observations
机译:
通过光学观察可视化晶体生长的不均匀性
作者:
J Donecker
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
|
1993年
19.
Pre-processing epitaxial layer evaluation: what do you really have to measure?
机译:
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作者:
C Miner
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
|
1993年
20.
Room temperature scanning photoluminescence for process control in silicon
机译:
室温扫描光致发光,用于硅工艺控制
作者:
A.Kostka
;
C.Klingelhoefer
;
S.K.Krawczyk
;
K.Schohe
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
|
1993年
21.
Monitoring of iron in silicon wafers in the part per quadrillion range using surface photovoltage and photo-dissociation of iron-boron pairs
机译:
使用表面光电压和铁-硼对的光解离来监测每百万亿分之一范围内的硅晶片中的铁
作者:
J. Lagowski
;
A.M. Kontkiewicz
;
W. Henley
;
M. Dexter
;
L. Jastrzebski
;
P. Edelman
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
|
1993年
22.
Double crystal topography of large size semiconducting crystals
机译:
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作者:
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|
1993年
23.
Recent developments of bulk III-V materials: annealing and defect control
机译:
III-V块状材料的最新发展:退火和缺陷控制
作者:
O. Oda
;
H. Yamamoto
;
K. Kainosho
;
T. Imaizumi
;
H. Okazaki
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
|
1993年
24.
Characterisation of the relief of semiconductor surfaces using digital interference microscopy
机译:
使用数字干涉显微镜表征半导体表面的浮雕
作者:
P.C. Montgomery
;
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;
D. Benhaddou
;
P. Vabre
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|
1993年
25.
Complementary study of indentation-induced dislocations in GaAs and InP by photoetching, SEM, SPL and EBIC
机译:
通过光刻,SEM,SPL和EBIC对GaAs和InP中压痕诱发的位错的补充研究
作者:
J L Weyher
;
C Frigeri
;
K Schohe
;
S K Krawczyk
;
T Wosinski
;
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会议名称:
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|
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26.
Analysis of thickness homogeneity and absorption coefficients of thin silicide films by microRaman spectroscopy
机译:
硅化物薄膜厚度均匀性和吸收系数的显微拉曼光谱分析
作者:
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;
J.J.Pedroviejo
;
E.Roca
;
J.R.Morante
会议名称:
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|
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27.
Late results in interface image reconstruction application to ohmic contact inspection
机译:
界面图像重建在欧姆接触检查中的最新成果
作者:
J.P. Fillard
;
M.Castagne
;
P.C. Montgomery
;
J.Bonnafe
;
P.Gall
;
E. Baudry
;
D. Montaner
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
|
1993年
28.
Crystal perfection and detection of defects just under wafer surfaces of semiconducting and insulating materials
机译:
晶体完善和半导体和绝缘材料晶片表面正下方的缺陷检测
作者:
Nobuhito Nango
;
Tomoya Ogawa
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
|
1993年
29.
Measurement of diffusion length of minority carrier in Si crystal by photoluminescence tomography
机译:
用光致发光层析成像法测量硅中少数载流子的扩散长度
作者:
K.Moriya
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
|
1993年
30.
Fast investigations of defects on Si(100) surfaces by light scattering methods
机译:
通过光散射法快速研究Si(100)表面的缺陷
作者:
M. Brohl
;
D. Graef
;
A. Ehlert
;
P. Wagner
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
|
1993年
31.
On the characterisation of the strain field of lattice defects in silicon with nanometer resolution
机译:
纳米分辨率的硅晶格缺陷应变场表征
作者:
K. G. F. Janssens
;
O. Van der Biest
;
J. Vanhellemont
;
H. E. Maes
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
|
1993年
32.
A study of channeling and induced damage in boron implanted silicon
机译:
硼注入硅中的沟道效应和诱导损伤的研究
作者:
S.Duenas
;
E.Castan
;
J.Barbolla
;
J.Montserrat
;
E.Lora Tamayo
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
|
1993年
33.
Tapping mode atomic force microscopy-applications to semiconductors
机译:
攻丝模式原子力显微镜在半导体中的应用
作者:
C.B. Prater
;
Y.E. Strausser
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
|
1993年
34.
Structural perfection of β-FeSi_2 on Si(111)
机译:
Si(111)上的β-FeSi_2的结构完善
作者:
C. Ocal
;
A.L. Vazquez de Parga
;
J. de la Figuera
;
J.E. Prieto
;
R. Miranda
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
|
1993年
35.
Mapping of oxidation stacking faults in Czochralski silicon wafers
机译:
直拉硅片中氧化堆叠缺陷的映射
作者:
T.Yamamoto
;
K.Sueoka
;
N.Ikeda
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
|
1993年
36.
Ellipsometric characterization of amorphous silicon layers after BF_2~+ ion implantation
机译:
BF_2〜+离子注入后非晶硅层的椭偏特征
作者:
S.Holgado
;
J.Martinez
;
J.Garrido
;
J.Piqueras
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
|
1993年
37.
PSTM images for semiconductor nanotechnologies
机译:
半导体纳米技术的PSTM图像
作者:
J.P.Fillard
;
C.Prioleau
;
J.M.Lussert
;
M.Castagne
;
J.Bonnafe
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
|
1993年
38.
Relationship between V/III ratio and generation of defects in MOVPE grown (001) GaAs/Ge heterostructures
机译:
V / III比与MOVPE生长的(001)GaAs / Ge异质结构中缺陷产生的关系
作者:
C Frigeri
;
G Attolini
;
C Pelosi
;
F Longo
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
|
1993年
39.
Characterization of CdTe and HgCdTe epilayers by hot wall MOCVD
机译:
热壁MOCVD表征CdTe和HgCdTe外延层
作者:
Peng Ruiwu
;
Ding Yongqing
;
Wei Guangyu
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
|
1993年
40.
Emission microscopy: principles and applications
机译:
发射显微镜:原理和应用
作者:
J.Koelzer
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
|
1993年
41.
Imaging of Schottky-barrier imhomogeneity at EPI-Al/(111) Si interface introduced by annealing
机译:
退火引入的EPI-Al /(111)Si界面的肖特基势垒不均匀性成像
作者:
S. Miyazaki
;
T. Okumura
;
Y. Miura
;
K. Aizawa
;
K. Hirose
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
|
1993年
42.
Threshold voltage topograph observations of low dislocation GaAs wafers and semi-insulating wafers by metal-semiconductor field-effect-transistor array
机译:
金属半导体场效应晶体管阵列对低位错GaAs晶片和半绝缘晶片的阈值电压形貌观察
作者:
Yasuyuki Saito
;
Mayumi Hirose
;
Yasuo Ikawa
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
|
1993年
43.
Impact of iron contamination on defect formation and yield in IC processing
机译:
铁污染对IC加工中缺陷形成和良率的影响
作者:
T. Kormany
;
G. Vegh
;
A. Steer
;
Nguyen M. T.
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
|
1993年
44.
Reverse-contrast imaging of GaAs (a review)
机译:
GaAs的反向对比成像(综述)
作者:
M R Brozel
;
S Tuzemen
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
|
1993年
45.
Metastable defects in semiconductors, where are we now?
机译:
半导体中的亚稳态缺陷,我们现在在哪里?
作者:
Jerzy M. Langer
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
|
1993年
46.
EBIC and IRBIC investigations of diffusion length inhomogeneities in deformed and annealed silicon
机译:
变形和退火硅中扩散长度非均匀性的EBIC和IRBIC研究
作者:
I.Bondarenko
;
A.Castaldini
;
A.Cavallini
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
|
1993年
47.
Determination of electrode currents from electro-optical sampling measurements
机译:
通过电光采样测量确定电极电流
作者:
Paul Biernacki
;
Kuang Yi Chen
;
Dag R. Hjelme
;
Alan R. Mickelson
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
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1993年
48.
Residual doping reduction in InP grown at low temperature by atomic layer molecular beam epitaxy
机译:
原子层分子束外延在低温下生长InP的残留掺杂减少
作者:
P Huertas
;
M L Dotor
;
P A Postigo
;
D Golmayo
;
F Briones
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
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1993年
49.
Defects in In_xGa_(1-x)As/GaAs strained quantum wells
机译:
In_xGa_(1-x)As / GaAs应变量子阱中的缺陷
作者:
I Rechenberg
;
F Bugge
;
A Hoepner
;
A Klein
;
U Richter
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
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1993年
50.
Porous silicon luminescence study by defect imaging methods
机译:
缺陷成像方法研究多孔硅发光
作者:
A.J. Kontkiewicz
;
A.M. Kontkiewicz
;
M. Wesolowski
;
S. Sen
;
P. Edelman
;
J. Lagowski
;
T. Kowalewski
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
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1993年
51.
Influence of substrate dislocations on epitaxial layers studied by photoluminescence microscopy and topography
机译:
基板位错对外延层的影响通过光致发光显微镜和形貌研究
作者:
M. Baeumler
;
E.C. Larkins
;
K.H. Bachem
;
D. Bernklau
;
H. Riechert
;
J.D. Ralston
;
W. Jantz
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
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1993年
52.
Nondestructive measurement of sub-surface micro-defects in silicon wafer by laser scattering tomography
机译:
激光散射层析成像技术无损测量硅片表面亚微缺陷
作者:
K.Hirai
;
M.Ohtsuka
;
K.Monya
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
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1993年
53.
Spatial orientation study of micro inhomogeneities in semi-insulating GaAs crystals by IR light scattering technique
机译:
半绝缘GaAs晶体中微观不均匀性的空间取向研究
作者:
V.P.Kalinushkin
;
N.V.Safronov
;
N.A.Sulimov
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
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1993年
54.
Spatial distribution of luminescence in CdTe wafers
机译:
CdTe晶片中发光的空间分布
作者:
U.Pal
;
P.Fernandez
;
J.Piqueras
;
M.D.Serrano
;
E.Dieguez
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
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1993年
55.
Scanning photoluminescence study of degradation in GaAs/GaAlAs double-heterostructures
机译:
GaAs / GaAlAs双异质结构降解的扫描光致发光研究
作者:
D Vignaud
;
J L Farvacque
;
A El Hichou
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
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1993年
56.
Characterization of LEC InP single crystals: correlations between SIMS, EPD, laser scattering, tomography, PL mapping; relations with dopant, dislocations and size of crystals
机译:
LEC InP单晶的表征:SIMS,EPD,激光散射,层析成像,PL映射之间的相关性;与掺杂物,位错和晶体尺寸的关系
作者:
R. Coquille
;
M. Baudet
;
M. Gauneau
;
H. LHaridon
;
P. Gall
;
J. Bonnafe
;
G. Jacob
;
A. Overs
;
R. Guillot
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
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1993年
57.
Microstructural studies on vertical Bridgman crystals (GaAs) by NIR-microscopy and DSL-etching
机译:
NIR显微镜和DSL蚀刻对垂直布里奇曼晶体(GaAs)的显微组织研究
作者:
K. Sonnenberg
;
A. Altmann
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
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1993年
58.
Imaging of high field regions in Si GaAs particle detectors
机译:
Si GaAs粒子探测器中高场区域的成像
作者:
K Berwick
;
M R Brozel
;
C M Buttar
;
M Cowperthwaite
;
Y Hou
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
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1993年
59.
Minority carrier diffusion length mapping of extended crystallographic defects in semiconductor silicon
机译:
半导体硅中扩展晶体缺陷的少数载流子扩散长度图
作者:
Michael Stemmer
;
S.Martinuzzi
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
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1993年
60.
A study of the iron distribution in InP
机译:
InP中铁的分布研究
作者:
M. Avella
;
M.A. Gonzalez
;
J. Ramos
;
L.F. Sanz
;
M.Chafai
;
J. Jimenez
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
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1993年
61.
Local investigation of inhomogeneously ion-implanted and proton-irradiated semiconductors by photothermal microscopy
机译:
通过光热显微镜对离子注入和质子辐照半导体进行非均质的局部研究
作者:
A L Glazov
;
K L Muratikov
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
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1993年
62.
Photoelectrochemical imaging at the GaAs/Si(001) liquid junction
机译:
GaAs / Si(001)液界处的光电化学成像
作者:
A. M. Chaparro
;
P. Salvador
;
A. Mir
;
B. Coll
;
V. Caselles
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
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1993年
63.
Photon scanning tunneling microscopy and spectroscopy applications
机译:
光子扫描隧道显微镜和光谱学应用
作者:
J.P.Goudonnet
;
F. de Fornel
;
L.Salomon
;
P.M.Adam
;
E.Bourillot
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
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1993年
64.
Characterization of interface and surface structures by ultra-thin film interference fringes
机译:
用超薄膜干涉条纹表征界面和表面结构
作者:
Lu Taijing
;
T. Ogawa
;
K. Toyoda
;
N. Nango
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
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1993年
65.
Annealing and defect characterization of semi-insulating GaAs crystals
机译:
半绝缘GaAs晶体的退火和缺陷表征
作者:
M. Herms
;
G. Gaertner
;
S. Griehl
;
C. Jahn
;
J. Kloeber
;
E. Korb
;
U. Kretzer
;
G. Kuehnel
;
O. Paetzold
;
W. Siegel
;
U. Voland
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
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1993年
66.
Local Raman probing of semiconductor epilayers in the vicinity of surface and interface
机译:
表面和界面附近的半导体外延层的局部拉曼探测
作者:
P. Puech
;
P. Pizani
;
O. Pages
;
G. Landa
;
R. Carles
;
M.A. Renucci
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
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1993年
67.
Raman microprobe study of the homogeneity of InP wafers
机译:
InP晶圆均质性的拉曼显微探针研究
作者:
P. Martin
;
A. Torres
;
J. A. de Saja
;
J. Jimenez
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
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1993年
68.
MicroRaman profile of SoiSimox interfaces
机译:
SoiSimox接口的MicroRaman配置文件
作者:
E. Martin
;
J. Jimenez
;
A. Perez-Rodriguez
;
J. R. Morante
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
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1993年
69.
Usefulness of light scattering tomography for GaAs industry
机译:
光散射层析成像在GaAs工业中的实用性
作者:
Shoji Kuma
;
Yoohei Otoki
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
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1993年
70.
Silicon processing and atomic level defects
机译:
硅加工和原子级缺陷
作者:
J M Poatc
;
D J Eaglesham
;
H J Gossmann
;
G S Higashi
;
G Pietsch
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
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1993年
71.
Characteristics of the as-grown defects in a CZ silicon single crystal
机译:
CZ硅单晶中生长缺陷的特征
作者:
H.Furuya
;
K.Nakajima
;
J.Furukawa
;
T.Shingyouji
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
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1993年
72.
Spatial distribution of defects and dopants in hydrogenated amorphous silicon measured by scanning isothermal capacitance transient spectroscopy (SICTS)
机译:
用扫描等温电容瞬态光谱法(SICTS)测量氢化非晶硅中缺陷和掺杂物的空间分布
作者:
Hideyo Okushi
;
Yozo Tokumaru
;
Hiroyoshi Naka
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
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1993年
73.
STM induced luminescence in semiconductors
机译:
STM诱导半导体中的发光
作者:
Lars Samuelson
;
Joakim Lindahl
;
Lars Montelius
;
Mats-Erik Pistol
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
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1993年
74.
Operating modes in scanning probe microscopy
机译:
扫描探针显微镜中的操作模式
作者:
Frank Reineke
;
Stefan Kaemmer
;
Stefan Gehring
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
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1993年
75.
Prospects of an application of a scanning tunnelling microscope to electron beam induced current (EBIC) investigations
机译:
扫描隧道显微镜在电子束感应电流(EBIC)研究中的应用前景
作者:
P. Koschinski
;
V. Dworak
;
K. Kaufmann
;
L.J. Balk
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
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1993年
76.
Scanning tunneling induced luminescence studies of GaAs(100) surfaces after different surface treatments
机译:
不同表面处理后GaAs(100)表面的扫描隧道致发光研究
作者:
J Horn
;
M Stehle
;
M Bischoff
;
H Pagnia
;
H L Hartnagel
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
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1993年
77.
Scanning tunnelling microscopy of silicon surfaces: recognition of surface contamination and roughness measurements
机译:
硅表面扫描隧道显微镜:表面污染和粗糙度测量的识别
作者:
F. Perez-Murano
;
N. Barniol
;
J. Maso
;
L. Fonseca
;
X. Aymerich
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
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1993年
78.
Structural and electronic properties of pulsed laser beam mixed Ni/GaAs
机译:
脉冲激光束混合Ni / GaAs的结构和电子性能
作者:
J. Watte
;
R.E. Silverans
;
M. Van Hove
;
R. Apetz
;
H. Muender
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
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1993年
79.
Effects of thermal and gettering processes on the quality of the silicon substrate
机译:
热和吸气工艺对硅衬底质量的影响
作者:
L. Fonseca
;
F. Campabadal
;
C. Cane
;
I. Gracia
;
M. Lozano
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
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1993年
80.
Noncontact evaluation of subsurface and surface in the UV mm-wave Si wafers by photoconductivity transient technique
机译:
光电导瞬变技术对毫米波紫外硅晶片表面和表面的非接触评估
作者:
Y. Ogita
;
K. Yakushiji
;
N. Tate
会议名称:
《Defect recognition and image processing in semiconductors and devices》
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1993年
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