General Physics Institute of the Russian Academy of Sciences, 38, Vavilov Street, Moscow, GSP-1, 117942, Russia;
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机译:电子散射对中红外波长n掺杂GaN半导体中声子-等离子体耦合模式色散和自由电子吸收的影响
机译:通过单光子光束感应电流成像和共聚焦反射显微镜对半导体部位进行高对比度成像
机译:光泵浦中红外半导体激光器产生的高峰值功率
机译:中红外激光显微镜光束诱导的散射方式:散装半导体近表面和近接口区域缺陷调查的方法
机译:用于中红外激光应用的过渡金属和稀土金属掺杂II-VI半导体的光学和电学特性
机译:强光反馈下半导体激光器毫米波调制特性建模
机译:用于研究半导体器件缺陷的超分辨率光学显微镜
机译:光散射作为诊断工具,用于研究在常规和快速生长Kp和DKDp中引起激光损伤的体缺陷