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一种基于横波背散射的六方晶材料近表面微小缺陷检测方法

摘要

本发明公开了一种基于横波背散射的六方晶材料近表面微小缺陷检测方法,使用横波‑横波单次散射响应模型对多晶体材料中近表面超声背散射现象进行描述,引入晶粒尺寸分布函数与六方晶的弹性模量协方差对原模型进行修正,并通过极值分布理论和修正后的横波‑横波单次散射响应模型的有机结合,给出了晶粒噪声的置信上限,最终以置信上限为时变阈值进行了缺陷的成像。本发明能有效检出直径为0.2mm、埋深为1mm的近表面横通孔缺陷。与传统纵波的固定阈值方法和时变阈值方法对比,本发明的方法在高增益下不仅抑制了把晶粒噪声误检为缺陷的可能性,而且消除了由耦合剂与被检部件之间的声阻抗失配而产生的大界面回波对近表面缺陷信号的影响。

著录项

  • 公开/公告号CN108896660A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-11-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中南大学;

    申请/专利号CN201810747244.4

  • 发明设计人 李雄兵;黄远添;宋永锋;倪培君;

    申请日2018-07-09

  • 分类号G01N29/06(20060101);G01N29/11(20060101);G01N29/44(20060101);

  • 代理机构43114 长沙市融智专利事务所;

  • 代理人欧阳迪奇

  • 地址 410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号

  • 入库时间 2023-06-19 07:23:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-12-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N29/06 申请日:20180709

    实质审查的生效

  • 2018-11-27

    公开

    公开

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