机译:纳米宽度:绝缘体硅晶片有效的吸气方法
机译:冶金学方法对mc-Si晶片进行吸杂处理的限制因素
机译:硅片激光吸杂的主要因素
机译:硅晶圆中纳米宽度和铝 - 硅的背面外部吸气的限制因素
机译:高纯铝,铝硅合金和铝硅/碳化硅复合材料在M2钢上滑动的磨损表面和磨损碎屑的磨损行为和微观结构表征。
机译:CMOS图像传感器的暗电流光谱法对碳氢化合物分子离子注入的硅晶片进行吸杂设计
机译:通过直接还原过程生产铝 - 硅合金和硅铁和商业纯度铝。 1978年9月1日至1979年12月31日的第二届年度技术报告